by 長谷部 翔 (光物性研究室M1)
テラヘルツ波はレーザー技術の発達などによって近年盛んに研究、応用をされるようになった電磁波であり、この制御は今後の技術や研究の発展のためにも重要な課題である。その中でこの研究は、周波数の変調を目標としている。電磁波の分散関係が時間的に変化する時、電磁波は波数を保存するため、新しい分散関係を満たすために周波数を変化させる。ここで、電磁波を閉じ込めて輸送させる導波路の内部では、その形状と材質による境界条件から電磁波は分布を制限され、分散関係は導波路構造に依存したものになる。これらのことから私たちは、直接遷移型半導体であるGaAsを用いた導波路に光パルスを照射することにより、導波路表面に光励起キャリアを瞬時に生成し、周波数変調を行った。今回のコロキウムではこの変調実験の結果と、現在議論している変調時の各モードへの変換割合の導出について報告する。