高圧下におけるセリウム・ゲルマニウム2の電気抵抗測定


by 仲屋諒一 磁性実験研究室B4
セリウム・ゲルマニウム2はGeをSiで置換することにより擬似的に圧力を加えることでネール温度が変化・消失することが報告されている。本研究ではセリウム・ゲルマニウム2に圧力を加え電気抵抗率を測定することで、ネール温度がどのように変化するのかを調べます。
発表内容は以下の通りになります。

  • 背景
    1. セリウム・ゲルマニウム2の既知の物性
    2. CeS2-xGexについて
  • 目的
  • 実験方法
    1. 高圧発生方法
    2. 圧力決定方法
    3. 電気抵抗測定方法
  • 実験結果
  • まとめ